NCE3018AS新洁能SOP8贴片12-200V N沟道增强式MOSFET
SOP8贴片 12-200V N沟道增强式MOSFET
SOP8贴片 12-200V N沟道增强式MOSFET
NCE3018AS采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供优异的Rps(on),可用于多种应用。
Vs =30V,ID =18A
RDS(开)在电压为10V时<7mΩ
RDS(开)<10mΩ在Vgs=4.5 V时
超低Rdson的高密度电池设计
完全表征雪崩电压和电流
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应