NCE3050新洁能TO220-3封装30V 50A N沟道增强型功率MOSFET场效应管
TO220-3 30V50A N沟道增强型MOS
TO220-3 30V50A N沟道增强型MOS
NCE3050 采用先进的沟道技术和设计,提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用。
Vos =30V,lD =50A
Ros(oN)< 11mΩ @ Ves=10VRos(oN) < 16mΩ @ Ves=4.5V
高密度电池设计,超低电阻
完全表征的雪崩电压和电流
具有高Eas的良好稳定性和均匀性
良好的散热封装
特殊工艺技术,具有高 ESD 能力
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
100% UIS 测试!