SLD90N03T是一款由美浦森生产的高性能N通道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关和脉冲宽度调制（PWM）等领域。本文将详细介绍该器件的关键参数和引脚布局，帮助工程师更好地理解和应用这一高性能半导体器件。

产品概述

SLD90N03T采用先进的TRENCH工艺制造，旨在最小化导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。其主要特点包括极低的导通电阻（RDS(on)）、快速开关能力以及100%雪崩测试，确保器件在各种复杂工况下的可靠性。

关键参数

（一）电气参数

    导通电阻（RDS(on)）

        在VGS = 10V时，RDS(on)典型值为3.8mΩ，最大值为4.5mΩ。
        在VGS = 4.5V时，RDS(on)典型值为5.5mΩ，最大值为7.0mΩ。
        低导通电阻意味着在高电流应用中，器件的功耗更低，效率更高。

    击穿电压（BVDSS）

        SLD90N03T的漏源击穿电压为30V，确保在额定电压下稳定工作，同时为过压情况提供一定的安全裕度。

    漏极电流（ID）

        连续漏极电流在25℃时为90A，而在100℃时为58A。
        脉冲漏极电流可达360A，适用于高功率脉冲应用。

    栅极电压（VGSS）

        栅极-源极电压范围为±20V，确保在不同驱动电压下稳定工作。

    动态参数

        输入电容（Ciss）为1950pF，输出电容（Coss）为320pF，反向传输电容（Crss）为240pF。

        开关特性包括13ns的开通延迟时间（td(on)）和36ns的开通上升时间（t(on)），以及43ns的关断延迟时间和16ns的关断下降时间。

        总栅极电荷（Qg）为42nC，栅源电荷（Qgs）为4nC，栅漏电荷（Qgd）为14nC。

    雪崩能量（EAS）

        单脉冲雪崩能量为90mJ，确保器件在过载情况下能够安全地承受反向恢复能量。

（二）热参数

    热阻（RθJC）

        结点至外壳的热阻为1.67℃/W，表明该器件具有良好的散热性能，能够在高功率应用中保持较低的结温。

    工作温度范围

        工作和存储温度范围为-55℃至+150℃，适用于各种恶劣环境。

（三）封装与引脚

SLD90N03T采用D-Pak封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。其引脚布局如下：

引脚     功能
G         栅极（Gate）
S          源极（Source）
D         漏极（Drain）

D-Pak封装的引脚分布清晰，便于PCB布局和焊接。其封装尺寸符合行业标准，适用于多种应用场景。

典型应用

SLD90N03T的低导通电阻和快速开关特性使其在以下应用中表现出色：

    电源管理

        作为开关元件，用于DC-DC转换器、开关电源和电源适配器中，提高电源转换效率。

    负载开关

        在负载切换过程中，快速开关能力可减少开关损耗，提高系统稳定性。

    脉冲宽度调制（PWM）
        适用于电机驱动、逆变器和PWM控制器等应用，提供高效率和高可靠性。

总结

SLD90N03T是一款高性能的N通道功率MOSFET，其低导通电阻、快速开关能力和卓越的热性能使其成为电源管理和功率转换应用的理想选择。通过了解其关键参数和引脚布局，工程师可以更好地将其应用于各种复杂电路设计中，实现高效、可靠的功率控制。