SLD90N02T
20V 90A TO-252 N管
20V 90A TO-252 N管
SLD90N02T : 20V 90A TO-252 N沟道 MOS场效应管
SLD90N02T 描述:功率MOSFET采用Maple semi先进的平面带状技术生产。这项先进的技术已特别定制,以尽量减少传导损耗,提供优越的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和换相模式.
特点:N通道:20V 90A RDS(开)典型值=2.8mΩ@VGS=4.5V RDS(开)典型值=4mΩ@VGS=2..5V-极低导通电阻RDS(开)-低CRSS-快速切换-100%雪崩测试-提高dv/dt能力。
应用:PWM应用,负载开关,电源管理。