NCE0224K新洁能TO252封装200V24A大功率N沟道增强型MOSFET

TO252封装 200V24A N沟道MOS管

产品详情

NCE0224K概述

NCE0224K采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS(on)，可用于多种应用。部分参数表如下~

Vos =200V,ID =24A
当电压值=10V时，RDS(ON)《80mΩ
超低Rdson的高密度电池设计
完全表征的雪崩电压和电流
良好的稳定性和均匀性，具有较高的Eas
出色的封装，散热效果好
具有高ESD能力的特殊工艺技术

电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应

100% 已通过测试!
100% AVds 测试完成!

上一篇：NCE10TD60BK新洁能TO-252封装600V10A FS沟道IGBT 下一篇：NCE3050新洁能TO220-3封装30V 50A N沟道增强型功率MOSFET场效应管

联系我们

深圳市三佛科技有限公司
电话：0755-85279055
地址：深圳市龙华新区民清路50号油松民清大厦701
手机：18902855590

友情链接：小家电方案网站地图无锡网站建设健康一体机昆山拖链氮吹仪北京加固计算机中港物流农贸市场设计快速卷帘门硅烷偶联剂厂家安全体感云母带水质监测站星星影院推广论坛上海闵行排水许可证多点防爆热电偶快速卷帘门传感器商城危化证液氮高低温试验箱接线端子公司金属托盘商标购买